广州第三代半导体创新中心加工测试平台建设项目总投资 45360.0万元
日期:2021-11-22 22:06:56
点击: 作者/来源:粤港澳网
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摘要:项目规模及内容:改造建筑面积6671平方米(其中包括百级区 202.19 m²,千级区 1323.62 m²,万级区 598.14 m² ,十万级 445.40 m² ,其他非区域4101.65 m²) 。拟建设第三代半导体氮化镓研发平台,能力达到折合6寸晶圆1000片/年。
项目信息 |
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备案项目编号 | 2110-440112-04-05-264838 |
项目名称 | 广州第三代半导体创新中心加工测试平台建设项目 |
项目所在地 | 广州市黄埔区凤湖四路5号国际领军人才集聚区A区 |
项目总投资 | 45360.0万元 |
项目规模及内容 | 改造建筑面积6671平方米(其中包括百级区 202.19 m²,千级区 1323.62 m²,万级区 598.14 m² ,十万级 445.40 m² ,其他非区域4101.65 m²) 。拟建设第三代半导体氮化镓研发平台,能力达到折合6寸晶圆1000片/年。 |
建设单位 | 西安电子科技大学广州研究院 |
备案机关 | 黄埔区发展和改革局 |
备案申报日期 | 2021年10月11日 |
复核通过日期 | 2021年10月12日 |
项目起止年限 | 2021年11月01日 - 2022年07月01日 |
项目当前状态 | 办结(通过) |
关键词:广州市,研究院,半导体,创新中心
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